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BSC014NE2LSIATMA1 Canal N Montaje en superficie 25V 33 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) PG-TDSON-8-7
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1 1.72000 $1.72
10 1.53000 $15.30
100 1.22580 $122.58
500 0.96872 $484.36
1,000 0.78178 $781.78
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC014NE2LSIATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC014NE2LSIATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 25V 33 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) PG-TDSON-8-7

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC014NE2LSI
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Ta), 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.4mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 39nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2700pF @ 12V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-7
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSC014NE2LSIATMA1CT
BSC014NE2LSICT
BSC014NE2LSICT-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSC014NE2LSIATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 35,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.68186
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 39,928 - Inmediata
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07:53:55 4/20/2019