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BSC011N03LSIATMA1 Canal N Montaje en superficie 30V 37 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) PG-TDSON-8-7
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1 2.13000 $2.13
10 1.93700 $19.37
100 1.57830 $157.83
500 1.25260 $626.30
1,000 1.05717 $1,057.17
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC011N03LSIATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 12,060
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC011N03LSIATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 37 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) PG-TDSON-8-7

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC011N03LSI
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 37 A (Ta), 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.1mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 68nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4300pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-7
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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Otros nombres BSC011N03LSIATMA1CT
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BSC011N03LSICT-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 12,060 - Inmediata
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10:01:27 5/23/2019