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BSC011N03LSATMA1 Canal N Montaje en superficie 30V 37 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) PG-TDSON-8-1
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Cantidad
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1 1.97000 $1.97
10 1.76100 $17.61
100 1.41150 $141.15
500 1.11550 $557.75
1,000 0.90022 $900.22
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC011N03LSATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 9,199
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC011N03LSATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 37 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) PG-TDSON-8-1

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC011N03LS
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 37 A (Ta), 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.1mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4700pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSC011N03LSATMA1CT
BSC011N03LSCT
BSC011N03LSCT-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
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11:21:18 4/23/2019