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BSC010NE2LSIATMA1 Canal N Montaje en superficie 25V 38 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5 W (Ta), 96 W (Tc) PG-TDSON-8
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.98000 $1.98
10 1.78400 $17.84
100 1.43400 $143.40
500 1.11530 $557.65
1,000 0.92411 $924.11

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC010NE2LSIATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC010NE2LSIATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 25V 38 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5 W (Ta), 96 W (Tc) PG-TDSON-8

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A (Ta), 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.05 mOhm a 30 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 59nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4200pF @ 12V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 96 W (Tc)
Temperatura de operación -
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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00:52:14 11/17/2018