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BSC010NE2LSATMA1 Canal N Montaje en superficie 25V 39 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5 W (Ta), 96 W (Tc) PG-TDSON-8
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Cantidad
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1 1.84000 $1.84
10 1.66600 $16.66
100 1.33840 $133.84
500 1.04094 $520.47
1,000 0.86250 $862.50

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC010NE2LSATMA1CT-ND
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Número de pieza del fabricante

BSC010NE2LSATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 25V 39 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5 W (Ta), 96 W (Tc) PG-TDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC010NE2LS
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 39 A (Ta), 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1 mOhm a 30 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 64nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4700pF @ 12V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 96 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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BSC010NE2LSCT-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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01:06:01 11/15/2018