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BSC010N04LSATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 38 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) PG-TDSON-8 FL
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.38000 $2.38
10 2.14200 $21.42
100 1.57650 $157.65
500 1.33394 $666.97
1,000 1.13183 $1,131.83
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSC010N04LSATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 40,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.00467
  • Digi-Reel®  : BSC010N04LSATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 47,379 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSC010N04LSATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSC010N04LSATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSC010N04LSATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 38 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) PG-TDSON-8 FL

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC010N04LS
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A (Ta), 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 95nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6800pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8 FL
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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