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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRAUIRFB8409-ND
Cantidad disponible 280
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

AUIRFB8409

Descripción MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 40V 195 A (Tc) 375 W (Tc) TO-220AB

Documentos y medios
Hojas de datos AUIRF(B,S,SL)8409
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Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 450nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 14240pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.3 mOhm a 100 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres IRAUIRFB8409
SP001521544

01:48:25 2/21/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.21000 $5.21
10 4.64800 $46.48
100 3.81100 $381.10
500 3.08594 $1,542.97
1,000 2.60260 $2,602.60

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