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AUIRFB8405 Canal N Orificio pasante 40V 120 A (Tc) 163 W (Tc) TO-220AB
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10 2.72300 $27.23
100 2.18790 $218.79
500 1.70170 $850.85
1,000 1.40998 $1,409.98

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRAUIRFB8405-ND
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AUIRFB8405

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Descripción MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 40V 120 A (Tc) 163 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos AUIRFB8405
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Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.5 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 161nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5193pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 163 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres IRAUIRFB8405
SP001516720

09:17:08 12/18/2018