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AUIRF7738L2TR Canal N Montaje en superficie 40V 35 A (Ta), 130 A (Tc) 3.3W (Ta), 94W (Tc) DIRECTFET L6
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

AUIRF7738L2TR

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Descripción MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 35 A (Ta), 130 A (Tc) 3.3W (Ta), 94W (Tc) DIRECTFET L6

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Documentos y medios
Hojas de datos AUIRF7738L2TR(1)
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Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 35 A (Ta), 130 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.6mOhm a 109A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 194nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7471pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DIRECTFET L6
Paquete / Caja (carcasa) L6 isométrico DirectFET™
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 4,000
Otros nombres SP001515758

13:23:05 4/20/2019