USD
Favorito

AUIRF5210STRL Canal P Montaje en superficie 100V 38 A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) D2PAK
Precio y compra
2,081 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.58000 $3.58
10 3.21700 $32.17
25 3.04120 $76.03
100 2.43310 $243.31
250 2.29788 $574.47

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : AUIRF5210STRLTR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 1,600 - Inmediata
  • Precio unitario: $2.16273
  • Digi-Reel®  : AUIRF5210STRLDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,081 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

AUIRF5210STRL

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key AUIRF5210STRLCT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante AUIRF5210STRL
Copiar  
Descripción MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 38 A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) D2PAK

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos AUIRF5210S
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60mOhm a 38A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 230nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2780pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

IRF5210STRLPBF

MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

Infineon Technologies

$2.31000 Detalles

SQM40P10-40L_GE3

MOSFET P-CH 100V 40A TO263

Vishay Siliconix

$2.05000 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres AUIRF5210STRLCT