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AUIRF4905 Canal P Orificio pasante 55V 74 A (Tc) 200 W (Tc) TO-220AB
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.49000 $3.49
50 2.80620 $140.31
100 2.55670 $255.67
500 2.07032 $1,035.16
1,000 1.74605 $1,746.05

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key AUIRF4905-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

AUIRF4905

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Descripción MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
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Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 55V 74 A (Tc) 200 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos AUIRF4905
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Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 74 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20 mOhm a 38 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 180nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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