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AUIRF2903Z Canal N Orificio pasante 30V 160 A (Tc) 290 W (Tc) TO-220AB
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Número de pieza del fabricante

AUIRF2903Z

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Descripción MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 30V 160 A (Tc) 290 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos AUIRF2903Z
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Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 160 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.4 mOhm a 75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 240nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6320pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 290 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SP001519238

19:46:01 11/17/2018