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AUIRF1404Z Canal N Orificio pasante 40V 160 A (Tc) 200 W (Tc) TO-220AB
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.15000 $3.15
50 2.53520 $126.76
100 2.30980 $230.98
500 1.87038 $935.19
1,000 1.57742 $1,577.42

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key AUIRF1404Z-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

AUIRF1404Z

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Descripción MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 40V 160 A (Tc) 200 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 160 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.7 mOhm a 75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 150nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4340pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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