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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 1242-1189-ND
Cantidad disponible 254
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

GA20JT12-263

Descripción TRANS SJT 1200V 45A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Montaje en superficie 1200V 45 A (Tc) 282 W (Tc) D2PAK (7-conductores)

Documentos y medios
Hojas de datos GA20JT12-263
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET -
Tecnología SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 45 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) -
Vgs(th) (máx.) en Id -
Vgs (máx.) -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3091pF @ 800V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 282 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60 mOhm a 20 A
Temperatura de operación 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK (7-conductores)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, D²Pak (7 conductores + lengüeta), TO-263CA
 
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  • Precio unitario $14.35000
  • IXFT50N85XHV-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 1242-1189
GA20JT12-247ISO
GA20JT12247ISO

10:25:15 2/19/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 39.91000 $39.91
10 36.91400 $369.14
25 33.92120 $848.03
100 31.52660 $3,152.66

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