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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 1242-1186-ND
Cantidad disponible 772
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

GA10JT12-263

Descripción TRANS SJT 1200V 25A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Montaje en superficie 1200V 25 A (Tc) 170 W (Tc)

Documentos y medios
Hojas de datos GA10JT12-263
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET -
Tecnología SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 25 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) -
Vgs(th) (máx.) en Id -
Vgs (máx.) -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1403pF @ 800V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 120 mOhm a 10 A
Temperatura de operación 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor -
Paquete / Caja (carcasa) -
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 1242-1186
GA10JT12-220ISO
GA10JT12220ISO

19:01:52 2/23/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 21.95000 $21.95
10 19.95400 $199.54
25 18.45720 $461.43
100 16.96050 $1,696.05
250 15.46400 $3,866.00

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