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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RFP12N10L-ND
Cantidad disponible 32,398
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

RFP12N10L

Descripción MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 12 A (Tc) 60 W (Tc) TO-220AB

Documentos y medios
Hojas de datos RFP12N10L
TO220B03 Pkg Drawing
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Vgs (máx.) ±10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 900pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 60 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 200 mOhm a 12 A, 5 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 800

21:54:48 2/19/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.07000 $1.07
10 0.94900 $9.49
100 0.75000 $75.00
500 0.58164 $290.82
1,000 0.45920 $459.20

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