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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLS640AFS-ND
Cantidad disponible 828
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLS640A

Descripción MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 9.8 A (Tc) 40 W (Tc) TO-220F

Documentos y medios
Hojas de datos IRLS640A
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1705pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 40 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 4.9 A, 5 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres IRLS640A-ND
IRLS640AFS

00:18:27 4/26/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.95000 $1.95
10 1.76500 $17.65
100 1.41820 $141.82
500 1.10306 $551.53
1,000 0.91396 $913.96

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