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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQU1N60CTUFS-ND
Cantidad disponible 2,287
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQU1N60CTU

Descripción MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 1 A (Tc) 2.5 W (Ta), 28 W (Tc) I-Pak

Documentos y medios
Hojas de datos FQD1N60C, FQU1N60C
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.2nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 170pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 28 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11.5 Ohm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 5,040
Otros nombres FQU1N60CTU-ND
FQU1N60CTUFS

15:19:30 2/23/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.76000 $0.76
10 0.66400 $6.64
100 0.51230 $51.23
500 0.37950 $189.75
1,000 0.30360 $303.60

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