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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP65N06FS-ND
Cantidad disponible 825
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQP65N06

Descripción MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 65 A (Tc) 150 W (Tc) TO-220AB

Documentos y medios
Hojas de datos FQP65N06
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Additional MFG Site 3/Dec/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 65 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2410pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16 mOhm a 32.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres FQP65N06-ND
FQP65N06FS

05:41:07 2/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.32000 $2.32
10 2.09400 $20.94
100 1.68250 $168.25
500 1.30862 $654.31
1,000 1.08428 $1,084.28

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