FDS4897C ON Semiconductor | Productos semiconductores discretos

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	FDS4897CCT-ND
Cantidad disponible	0 Esta característica no está disponible temporalmente. Estamos trabajando arduamente para solucionarlo. Le agradecemos su paciencia.
Fabricante	ON Semiconductor
Número de pieza del fabricante	FDS4897C
Descripción	MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante	6 semanas
Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.2A, 4.4A 900mW Surface Mount 8-SO

Documentos y medios

Hojas de datos	FDS4897C
Diseño/especificación de PCN	Mold Compound 12/Dec/2007 Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN	Mult Devices 24/Oct/2017

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
Fabricante	ON Semiconductor
Serie	PowerTrench®
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N y P
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	6.2 A, 4.4 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	29 mOhm a 6.2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id	3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	760 pF a 20 V
Potencia máxima	900 mW
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO