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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP61N20-ND
Cantidad disponible 1,190
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDP61N20

Descripción MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 7 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 61 A (Tc) 417 W (Tc) TO-220-3

Documentos y medios
Hojas de datos FDP61N20
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Description Chg 15/Feb/2016
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 61 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 75nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3380pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 417 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 41 mOhm a 30.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 800

04:05:15 4/24/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.43000 $3.43
10 3.06100 $30.61
100 2.51000 $251.00
500 2.03252 $1,016.26
1,000 1.71417 $1,714.17

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