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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP18N20F-ND
Cantidad disponible 516
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDP18N20F

Descripción MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 18 A (Tc) 100 W (Tc) TO-220AB

Documentos y medios
Hojas de datos FDP18N20F, FDPF18N20F
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Additional MFG Site 3/Dec/2015
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1180pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 100 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 145 mOhm a 9 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

10:49:59 2/25/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.84000 $1.84
10 1.65800 $16.58
100 1.33200 $133.20
500 1.03604 $518.02
1,000 0.85843 $858.43

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