• No se dispone de envases con valor agregado; existen otras alternativas de envase.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDMS7670ASFSCT-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDMS7670AS

Descripción MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 22 A (Ta), 42 A (Tc) 2.5 W (Ta), 65 W (Tc) 8-PQFN (5x6)

Documentos y medios
Hojas de datos FDMS7670AS
Producto destacado Cloud Systems Computing
Mid- and Low-Voltage MOSFETs
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®, SyncFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22 A (Ta), 42 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 66nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4225pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 65 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 mOhm a 21 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDMS7670ASFSCT

07:12:33 2/19/2018

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FDMS7670ASFSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 240,000 - Stock en fábrica ?
  • Precio unitario: $0.54824
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