Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDA33N25-ND
Cantidad disponible 1,844
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDA33N25

Descripción MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 250V 33 A (Tc) 245 W (Tc) TO-3PN

Documentos y medios
Hojas de datos FDA33N25
Diseño/especificación de PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 46.8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 245 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 94 mOhm a 16.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 450

18:58:53 2/23/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.22000 $3.22
10 2.91000 $29.10
100 2.33860 $233.86
500 1.81894 $909.47
1,000 1.50712 $1,507.12

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario