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EPC2105 Arreglo de MOSFET 2 canales N (medio puente) 80V 9.5 A, 38 A Montaje en superficie Molde
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25 6.60880 $165.22
100 5.48060 $548.06
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Descripción GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET 2 canales N (medio puente) 80V 9.5 A, 38 A Montaje en superficie Molde

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Categorías
Fabricante EPC
Serie eGaN®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET 2 canales N (medio puente)
Característica de FET GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.5 A, 38 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 14.5mOhm a 20A, 5V, 3.4mOhm a 20A, 5V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 2.5mA, 2.5V a 10mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.5nC a 5V, 10nC a 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 300pF a 40V, 1100pF a 40V
Potencia máxima -
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) Molde
Paquete del dispositivo del proveedor Molde
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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