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EPC2100 Arreglo de MOSFET 2 canales N (medio puente) 30V 10 A (Ta), 40 A (Ta) Montaje en superficie Molde
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10 6.73200 $67.32
25 6.41880 $160.47
100 5.32300 $532.30
250 5.00992 $1,252.48

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Descripción GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET 2 canales N (medio puente) 30V 10 A (Ta), 40 A (Ta) Montaje en superficie Molde

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Fabricante EPC
Serie eGaN®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET 2 canales N (medio puente)
Característica de FET GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Ta), 40 A (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.2mOhm a 25A, 5V, 2.1mOhm a 25A, 5V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 4mA, 2.5V a 16mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4.9nC a 15V, 19nC a 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 475pF a 15V, 1960pF a 15V
Potencia máxima -
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) Molde
Paquete del dispositivo del proveedor Molde
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 917-1180-1