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EPC2032 Canal N Montaje en superficie 100V 48 A (Ta) Molde
Precio y compra
36,381 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.21000 $6.21
10 5.61200 $56.12
25 5.35040 $133.76
100 4.43700 $443.70
250 4.17600 $1,044.00

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 917-1126-2-ND
  • Cantidad mínima: 500
  • Cantidad disponible: 36,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $3.91500
  • Digi-Reel®  : 917-1126-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 36,381 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
Número de pieza de Digi-Key 917-1126-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante EPC2032
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Descripción GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 48 A (Ta) Molde

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Documentos y medios
Hojas de datos EPC2032
Archivo de video Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
Producto destacado EPC2030/31/32 eGaN FET
Biblioteca de diseños de referencia EPC9062: 48A, 0 ~ 100V, Half H-Bridge
Ensamble/origen de PCN EPC2/8 10/Apr/2017
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante EPC
Serie eGaN®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 48 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4mOhm a 30A, 5V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 11mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 5V
Vgs (máx.) +6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1530pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) -
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Molde
Paquete / Caja (carcasa) Molde
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 917-1126-1