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EPC2029 Canal N Montaje en superficie 80V 48 A (Ta) Molde
Precio y compra
7,093 En Stock
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Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.09000 $6.09
10 5.50400 $55.04
25 5.24800 $131.20
100 4.35200 $435.20

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 917-1107-2-ND
  • Cantidad mínima: 500
  • Cantidad disponible: 7,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $3.84000
  • Digi-Reel®  : 917-1107-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,093 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
Número de pieza de Digi-Key 917-1107-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante EPC2029
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Descripción GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 48 A (Ta) Molde

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Documentos y medios
Hojas de datos EPC2029
Producto destacado EPC2029 eGaN FETs
Ensamble/origen de PCN Mult Dev TR Assembly Chg 14/Dec/2018
Hoja de datos de HTML EPC2029 Datasheet
Archivo de video
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Categorías
Fabricante EPC
Serie eGaN®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 48 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 12mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13nC @ 5V
Vgs (máx.) +6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1410pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Molde
Paquete / Caja (carcasa) Molde
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Para usar con

EPC9046

BOARD DEV FOR EPC2029 80V EGAN

EPC

$118.75000 Detalles
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 917-1107-1