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10 0.45500 $4.55
25 0.42440 $10.61
100 0.31510 $31.51
250 0.29936 $74.84
500 0.24604 $123.02
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  • Cinta y rollo (TR)  : ZXMP6A13FTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 180,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.18786
  • Digi-Reel®  : ZXMP6A13FDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 185,978 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

ZXMP6A13FTA

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key ZXMP6A13FCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante ZXMP6A13FTA
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Descripción MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 900mA (Ta) 625mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos ZXMP6A13F
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Diseño/especificación de PCN Mult Dev Die Layer Add 30/Nov/2018
Hoja de datos de HTML ZXMP6A13F
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 900mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 400mOhm a 900mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.9nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 219pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 625mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres ZXMP6A13FCT