ZXMP3A17E6TA Diodes Incorporated | Productos semiconductores discretos

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ZXMP3A17E6TA Canal P Montaje en superficie 30V 3.2 A (Ta) 1.1 W (Ta) SOT-23-6

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	ZXMP3A17E6CT-ND	Copiar
Cantidad disponible	21,630 Disponible para envío inmediato
Fabricante	Diodes Incorporated	Copiar
Número de pieza del fabricante	ZXMP3A17E6TA	Copiar
Descripción	MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6	Copiar
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30V 3.2 A (Ta) 1.1 W (Ta) SOT-23-6	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	ZXMP3A17E6
Información de RoHS	RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN	Leadframe Material Update 09/Apr/2014 Date Code Mark Update 13/Jan/2015 http://media.digikey.com/pdf/PCNs/Diodes%20Inc/PCN_2376_REV1.pdf

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	3.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	70 mOhm a 3.2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id	1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15.8nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	630pF @ 15V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	1.1 W (Ta)
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-6
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6