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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.45000 $0.45
10 0.36100 $3.61
25 0.33000 $8.25
100 0.20730 $20.73
500 0.19190 $95.95
1,000 0.13049 $130.49
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : ZXMN2F34FHTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 39,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.12512
  • Digi-Reel®  : ZXMN2F34FHDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 41,075 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

ZXMN2F34FHTA

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key ZXMN2F34FHCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante ZXMN2F34FHTA
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Descripción MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 3.4 A (Ta) 950mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos ZXMN2F34FH
Diseño/especificación de PCN Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Hoja de datos de HTML ZXMN2F34FH
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Site Add 1/Jul/2020
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 60mOhm a 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 277pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 950mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres ZXMN2F34FHCT