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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key ZXMN2F30FHCT-ND
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Cantidad disponible 129,951
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 24,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

ZXMN2F30FHTA

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Descripción MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 4.1 A (Ta) 960 mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos ZXMN2F30FH
Información de RoHS RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 45 mOhm a 2.5 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 452pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 960 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres ZXMN2F30FHCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : ZXMN2F30FHTR-ND
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  • Cantidad disponible: 129,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 129,951 - Inmediata
    24,000 - Stock en fábrica ?
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14:12:04 12/18/2018