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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key ZXMN10A08GCT-ND
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Cantidad disponible 71,308
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

ZXMN10A08GTA

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Descripción MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 2 A (Ta) 2 W (Ta) SOT-223

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Documentos y medios
Hojas de datos ZXMN10A08G
Información de RoHS RoHS, REACH Cert of Compliance
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 250 mOhm a 3.2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7.7nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 405pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres ZXMN10A08GCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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13:39:31 10/22/2018