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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key ZXM61P02FCT-ND
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Cantidad disponible 111,376
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 3,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

ZXM61P02FTA

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Descripción MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 900 mA (Ta) 625 mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos ZXM61P02FTC
Información de RoHS RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN Plating Site Add 24/Feb/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 900 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.7 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 610 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 150pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 625 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres ZXM61P02F
ZXM61P02FCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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