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10 1.35900 $13.59
25 1.28960 $32.24
100 0.96720 $96.72
250 0.95796 $239.49
500 0.81980 $409.90
1,000 0.66781 $667.81
2,500 0.65860 $1,646.50
5,000 0.59873 $2,993.64
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ZVN4306AV

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante ZVN4306AV
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Descripción MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
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Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 1.1 A (Ta) 850mW (Ta) TO-92-3

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Documentos y medios
Hojas de datos ZVN4306AV
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Ensamble/origen de PCN Plating Site Add 24/Feb/2017
Hoja de datos de HTML ZVN4306AV
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado Granel 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 330mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 1mA
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 850mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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