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DMP6110SVT-7 Canal P Montaje en superficie 60V 7.3 A (Tc) 1.2 W (Ta) TSOT-26
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1 0.73000 $0.73
10 0.61600 $6.16
100 0.46870 $46.87
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMP6110SVT-7DICT-ND
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Cantidad disponible 46,799
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMP6110SVT-7

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Descripción MOSFET P-CH 60V TSOT26
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 7.3 A (Tc) 1.2 W (Ta) TSOT-26

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Documentos y medios
Hojas de datos DMP6110SVT
Información de RoHS RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 105 mOhm a 4.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17.2nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 969pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.2 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TSOT-26
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMP6110SVT-7DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMP6110SVT-7DITR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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04:28:38 12/15/2018