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1 0.80000 $0.80
10 0.70100 $7.01
25 0.65840 $16.46
100 0.47780 $47.78
250 0.46084 $115.21
500 0.39926 $199.63
1,000 0.33979 $339.79
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : DMP4015SSS-13DITR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 17,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.30936
  • Digi-Reel®  : DMP4015SSS-13DIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 20,954 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

DMP4015SSS-13

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMP4015SSS-13DICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMP4015SSS-13
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Descripción MOSFET P-CH 40V 9.1A 8-SO
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 40V 9.1 A (Ta) 1.45W (Ta) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos DMP4015SSS
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11mOhm a 9.8A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 47.5nC @ 5V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4234pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.45W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMP4015SSS-13DICT