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10 0.33200 $3.32
25 0.30400 $7.60
100 0.19090 $19.09
250 0.18876 $47.19
500 0.17676 $88.38
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  • Cinta y rollo (TR)  : DMP2123LDITR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 117,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.11524
  • Digi-Reel®  : DMP2123LDIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 120,629 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

DMP2123L-7

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMP2123LDICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMP2123L-7
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Descripción MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 3 A (Ta) 1.4W (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos DMP2123L
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012
Otro PCN Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Hoja de datos de HTML DMP2123L
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 72mOhm a 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.25V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7.3nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 443pF @ 16V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.4W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMP2123LDICT