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DMP10H400SK3-13 Canal P Montaje en superficie 100V 9 A (Tc) 42 W (Tc) TO-252-3
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1 0.77000 $0.77
10 0.67700 $6.77
100 0.53060 $53.06
500 0.40172 $200.86
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMP10H400SK3-13DICT-ND
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Cantidad disponible 29,350
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMP10H400SK3-13

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Descripción MOSFET P-CH 100V 9A TO252
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 9 A (Tc) 42 W (Tc) TO-252-3

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Documentos y medios
Hojas de datos DMP10H400SK3
Información de RoHS RoHS, REACH Cert of Compliance
Diseño/especificación de PCN Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 240 mOhm a 5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1239pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 42 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMP10H400SK3-13DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMP10H400SK3-13DITR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 27,500 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 29,350 - Inmediata
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