DMP1045U-7 Diodes Incorporated | Productos semiconductores discretos

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DMP1045U-7 Canal P Montaje en superficie 12V 4 A (Ta) 800 mW (Ta) SOT-23

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	DMP1045U-7DICT-ND	Copiar
Cantidad disponible	942 Disponible para envío inmediato
Fabricante	Diodes Incorporated	Copiar
Número de pieza del fabricante	DMP1045U-7	Copiar
Descripción	MOSFET P-CH 12V 4A SOT23	Copiar
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12V 4 A (Ta) 800 mW (Ta) SOT-23	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	DMP1045U
Información de RoHS	RoHS Cert

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	31 mOhm a 4 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id	1 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1357pF @ 10V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	800 mW (Ta)
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3