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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMNH10H028SCTDI-5-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

DMNH10H028SCT

Descripción MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 60 A (Tc) 2.8 W (Ta) TO-220AB

Documentos y medios
Hojas de datos DMNH10H028SCT
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie Automotive, AEC-Q101
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 31.9nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1942pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.8 W (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 28 mOhm a 20 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres DMNH10H028SCTDI-5

04:31:12 5/23/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.69000 $1.69
50 1.35240 $67.62
100 1.18340 $118.34
500 0.91770 $458.85
1,000 0.72450 $724.50

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