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DMN65D8L-7 Canal N Montaje en superficie 60V 310 mA (Ta) 370 mW (Ta) SOT-23
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10 0.18000 $1.80
100 0.11850 $11.85
500 0.05916 $29.58
1,000 0.04109 $41.09
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN65D8L-7DICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN65D8L-7

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Descripción MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
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Plazo estándar del fabricante 36 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 310 mA (Ta) 370 mW (Ta) SOT-23

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN65D8L
Información de RoHS RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
Mult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018
Hoja de datos de HTML DMN65D8L
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 310 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 115 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.87nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 22pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 370 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN65D8L-7DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMN65D8L-7DITR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.03426
  • Digi-Reel® ? : DMN65D8L-7DIDKR-ND
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02:37:08 11/21/2018