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DMN63D8LDW-7 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 220 mA 300mW Montaje en superficie SOT-363
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10 0.32200 $3.22
100 0.18220 $18.22
500 0.09978 $49.89
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN63D8LDW-7CT-ND
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Cantidad disponible 374,085
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN63D8LDW-7

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 220 mA 300mW Montaje en superficie SOT-363

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN63D8LDW
Información de RoHS RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
Mult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018
Hoja de datos de HTML DMN63D8LDW
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 220 mA
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.8 Ohm a 250 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 870 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 22pF a 25 V
Potencia máxima 300mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-363
Número de pieza base DMN63D8L
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN63D8LDW-7CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMN63D8LDW-7TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 372,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.06115
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13:29:26 2/20/2019