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DMN6075S-7 Canal N Montaje en superficie 60V 2 A (Ta) 800 mW (Ta) SOT-23
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1 0.44000 $0.44
10 0.31800 $3.18
100 0.19010 $19.01
500 0.11032 $55.16
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN6075S-7DICT-ND
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Cantidad disponible 85,248
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN6075S-7

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Descripción MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 2 A (Ta) 800 mW (Ta) SOT-23

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN6075S
Información de RoHS RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 85 mOhm a 3.2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12.3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 606pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 800 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN6075S-7DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000
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03:23:19 2/20/2019