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DMN6068SE-13 Canal N Montaje en superficie 60V 4.1 A (Ta) 2 W (Ta) SOT-223
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.73000 $0.73
10 0.61600 $6.16
100 0.46870 $46.87
500 0.35082 $175.41
1,000 0.27717 $277.17
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN6068SE-13CT-ND
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Cantidad disponible 29,180
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN6068SE-13

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Descripción MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 4.1 A (Ta) 2 W (Ta) SOT-223

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN6068SE
Información de RoHS RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 68 mOhm a 12 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 502pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN6068SE-13CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMN6068SE-13TR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
  • Cantidad disponible: 28,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.24765
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21:25:00 12/13/2018