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DMN6068LK3-13 Canal N Montaje en superficie 60V 6 A (Ta) 2.12 W (Ta) TO-252-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.65000 $0.65
10 0.54400 $5.44
100 0.40790 $40.79
500 0.29912 $149.56
1,000 0.23113 $231.13
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN6068LK3-13DICT-ND
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Cantidad disponible 15,534
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN6068LK3-13

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Descripción MOSFET N-CH 60V 6A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 6 A (Ta) 2.12 W (Ta) TO-252-3

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN6068LK3
Información de RoHS RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 68 mOhm a 12 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 502pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.12 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN6068LK3-13DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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07:16:17 12/17/2018