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DMN6040SSD-13 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 60 V 5 A 1.3 W Montaje en superficie 8-SO
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1 0.70000 $0.70
10 0.59300 $5.93
100 0.45070 $45.07
500 0.33734 $168.67
1,000 0.26651 $266.51
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN6040SSD-13DICT-ND
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Cantidad disponible 43,230
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN6040SSD-13

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Descripción MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
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Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 60 V 5 A 1.3 W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN6040SSD
Información de RoHS RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40 mOhm a 4.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22.4 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1287 pF a 25 V
Potencia máxima 1.3 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN6040SSD-13DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMN6040SSD-13DITR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 42,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.23812
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 43,230 - Inmediata
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17:14:14 12/16/2018