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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.33000 $0.33
10 0.27100 $2.71
25 0.22720 $5.68
100 0.11110 $11.11
500 0.09266 $46.33
1,000 0.06439 $64.39
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : DMN55D0UTDITR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 300,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.05984
  • Digi-Reel®  : DMN55D0UTDIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 301,002 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

DMN55D0UT-7

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMN55D0UTDICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMN55D0UT-7
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Descripción MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 50V 160mA (Ta) 200mW (Ta) SOT-523

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Documentos y medios
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Hojas de datos DMN55D0UT
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 50V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 160mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4Ohm a 100mA, 4V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 25pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-523
Paquete / Caja (carcasa) SOT-523
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMN55D0UTDICT