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DMN4030LK3-13 Canal N Montaje en superficie 40V 9.4 A (Ta) 2.14 W (Ta) TO-252-3
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Cantidad
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1 0.71000 $0.71
10 0.62700 $6.27
100 0.49050 $49.05
500 0.37136 $185.68
1,000 0.30329 $303.29
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN4030LK3-13DICT-ND
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Cantidad disponible 2,262
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN4030LK3-13

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Descripción MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 9.4 A (Ta) 2.14 W (Ta) TO-252-3

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN4030LK3
Información de RoHS RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30 mOhm a 12 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12.9nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 604pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.14 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN4030LK3-13DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMN4030LK3-13DITR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.26925

20:38:21 12/14/2018