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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN32D2LFB4DICT-ND
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Cantidad disponible 78,059
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN32D2LFB4-7

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Descripción MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN
Copiar   MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 300 mA (Ta) 350 mW (Ta) X2-DFN1006-3

Copiar   Canal N Montaje en superficie 30V 300 mA (Ta) 350 mW (Ta) X2-DFN1006-3
Documentos y medios
Hojas de datos DMN32D2LFB4
Información de RoHS RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018
Mult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 300 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 100 mA, 4 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2 V a 250 µA
Vgs (máx.) ±10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 39pF @ 3V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 350 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor X2-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN32D2LFB4DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMN32D2LFB4DITR-ND
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  • Precio unitario: $0.17145
  • Digi-Reel® ? : DMN32D2LFB4DIDKR-ND
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10:08:45 1/23/2019